RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3793
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link