RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2920
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link