RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3733
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link