RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3262
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link