RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony -173% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3825
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link