RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2725
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link