RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2313
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link