RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2313
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link