RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2332
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link