RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
71
Wokół strony -255% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
20
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3506
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link