RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3327
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link