RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3187
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link