RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3693
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link