RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3169
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link