RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4177
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link