RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3535
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link