RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4421
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link