RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3742
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link