RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
71
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3049
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link