RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
71
Wokół strony -223% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2493
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link