RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
71
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1693
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link