RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
71
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2154
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link