RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
71
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
55
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2870
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link