RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3271
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link