RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2395
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1B163BE 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link