RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
71
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2568
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link