RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
71
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2568
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link