RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
71
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
48
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2568
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link