RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
71
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2468
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link