RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
71
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2277
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link