RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3211
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link