RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
71
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3222
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link