RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
71
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3214
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link