RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
71
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2613
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Unifosa Corporation GU512303EP0202 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link