RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
71
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
49
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2427
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link