RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2361
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link