RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
71
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
55
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2232
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link