RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
71
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
55
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2232
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link