RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
71
Wokół strony -137% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3491
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link