RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3318
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link