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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
39
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
31
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
13.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2322
3318
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Comparações de RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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