RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
39
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.2
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
3318
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link