RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
39
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
2714
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link