RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
42
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
2427
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Porównanie pamięci RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link