RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
3064
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link