RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
49
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2413
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link