RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
75
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
75
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1717
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link