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PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
75
左右 64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
75
读取速度,GB/s
13.8
15.6
写入速度,GB/s
8.4
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1717
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
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