RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3225
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link