RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3908
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link