RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3687
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link