RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3294
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link