RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
AMD R744G2133U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2133U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2415
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Jinyu 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link