RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
AMD R744G2133U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2133U1S 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
12.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2415
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
‹
›
Relatar um erro
×
Bug description
Source link